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        國軍標(biāo)GJB150A高溫存儲試驗-高低溫試驗溫度

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        所在地: 廣東 深圳
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        發(fā)布時間: 2023-12-16 07:11
        最后更新: 2023-12-16 07:11
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        環(huán)境試驗?zāi)康模嚎己嗽诓皇┘与姂?yīng)力的情況下,高溫存儲對產(chǎn)品的影響。有嚴(yán)重缺陷的產(chǎn)品處于非平衡態(tài),是一種不穩(wěn)定態(tài),由非平衡態(tài)向平衡態(tài)的過渡過程既是誘發(fā)有嚴(yán)重缺陷產(chǎn)品失效的過程,也是促使產(chǎn)品從非穩(wěn)定態(tài)向穩(wěn)定態(tài)的過渡過程。

        這種過渡一般情況下是物理化學(xué)變化,其速率遵循阿倫尼烏斯公式,隨溫度成指數(shù)增加.高溫應(yīng)力的目的是為了縮短這種變化的時間,該實驗又可以視為一項穩(wěn)定產(chǎn)品性能的工藝。

        環(huán)境試驗條件:一般選定一恒定的溫度應(yīng)力和保持時間。微電路溫度應(yīng)力范圍為75℃至400℃,試驗時間為24h以上。試驗前后被試樣品要在標(biāo)準(zhǔn)試驗環(huán)境中,既溫度為25土10℃、氣壓為86kPa~100kPa的環(huán)境中放置一定時間。多數(shù)的情況下,要求試驗后在規(guī)定的時間內(nèi)完成終點(diǎn)測試。


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